소장자료
| LDR | 01161nam a2200325 c 4500 | ||
| 001 | 0100562560▲ | ||
| 005 | 20220722154556▲ | ||
| 007 | ta▲ | ||
| 008 | 211103s2021 ulkad b 001c kor ▲ | ||
| 020 | ▼a9791156008828▼g93560 :▼c₩32000▲ | ||
| 035 | ▼a(KERIS)BIB000015983104▲ | ||
| 040 | ▼a211014▼c211014▼d221016▲ | ||
| 041 | 1 | ▼akor▼hjpn▲ | |
| 082 | 0 | 4 | ▼a621.38152▼223▲ |
| 090 | ▼a621.38152▼b야15ㅎ한▲ | ||
| 100 | 1 | ▼a야고,일남▲ | |
| 245 | 1 | 0 | ▼a반도체 드라이 에칭 기술 =▼xDry etching technology for semiconductors /▼d노지리 카즈오 著 ;▼e전민성 譯▲ |
| 246 | 1 | 9 | ▼aはじめての半導体ドライエッチング技術▲ |
| 260 | ▼a서울 :▼b홍릉,▼c2021▲ | ||
| 300 | ▼axi, 228 p. :▼b삽화, 표 ;▼c21 cm▲ | ||
| 500 | ▼a원저자명: 野尻一男▲ | ||
| 504 | ▼a각 장마다 참고문헌과 색인(p. 217-228) 수록▲ | ||
| 653 | ▼a반도체공정▼a반도체드라이에칭기술▼a반도체 건식식각기술▲ | ||
| 700 | 1 | ▼a전민성▲ | |
| 900 | 1 | 1 | ▼a노지리, 카즈오▲ |
반도체 드라이 에칭 기술
자료유형
국내단행본
서명/책임사항
반도체 드라이 에칭 기술 = Dry etching technology for semiconductors / 노지리 카즈오 著 ; 전민성 譯
원서명
はじめての半導体ドライエッチング技術
발행사항
서울 : 홍릉 , 2021
형태사항
xi, 228 p. : 삽화, 표 ; 21 cm
일반주기
원저자명: 野尻一男
서지주기
각 장마다 참고문헌과 색인(p. 217-228) 수록
키워드
ISBN
9791156008828
청구기호
621.38152 야15ㅎ한
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