부산대학교 도서관

본 논문에서는 마이크로스트립-도파관 전이구조의 임피던스 해석 모델을 바탕으로 설계 방법을 제안하였다. 제안한 구조는 크게 세 부분으로 마이크로스트립-SIW (Substrate Integrated Waveguide) 구조, 기판 두께의 유전체로쌓인 구조 및 게단형 도파관 구조로 구성되어 있다. 전이구조의 형상은 임피던스 변화에 따라 변화하게 된다. 유전체변화를 통한 두 가지 형태의 동일한 특성을 가진 전이구조를 제시하였다. 두 Ka대역 전이구조의 설계 방법은 도파관의크기와 상관없이 모든 응용 분야에 적용가능하다. 제안한 전이구조의 back-to-back 특성은 29.8 ~ 38.2 GHz 대역에서 1.2 dB 이하의 삽입손실 및 15 dB 이상의 반사손실을 가짐을 확인하였다
A clear and efficient design method for a microstrip-to-waveguide inline transition, which is based on an analytical model, is presented. The transition consists of three parts: a microstrip-to-SIW transition, a dielectric-loaded waveguide with substrate-height, and a stepped-height waveguide. The shape of the transitional structure is formed for impedance matching. Two equivalent type0s of dielectric-loaded transitional structures are proposed. The design method is applicable to any size of the waveguide, but a design method of two Ka-band transitions is demonstrated. The proposed transitions, in a back-to-back configuration, have less than 1.2 dB insertion loss and more than 15 dB return loss from 29.8 GHz to 38.2 GHz