소장자료
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| 653 | ▼a 게이트 ▼a N소스드레인 ▼a 중첩구조 ▼a 채널 ▼a MOSFET ▼a 핫캐리어주입 ▼a 렬화특성 ▼a DEGRADATION ▼a CHARACTERISTIC ▼a HOT ▼a CARRIER ▼a INJECTION ▼a NCHANNEL ▼a GATEN ▼a SD ▼a OVERLAPPED ▼a STRUCTURE ▼a 엔소스드레 ▼a 엔채널▲ | ||
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게이트와 n-소스/드레인 重疊構造를 갖는 n 채널 MOSFET의 핫캐리어注入에 의한 劣化特性 = Degradation characteristics by hot carrier injection of n-channel MOSFET with gate-n- S/D overlapped structure
자료유형
학위논문
서명/책임사항
게이트와 n-소스/드레인 重疊構造를 갖는 n 채널 MOSFET의 핫캐리어注入에 의한 劣化特性 = Degradation characteristics by hot carrier injection of n-channel MOSFET with gate-n- S/D overlapped structure / 李大雨
부출서명
게이트와 엔소스/드레인 중첩구조를 갖는 엔 채널...
개인저자
발행사항
대구 : 慶北大學校 , 1993.
형태사항
86p. : 삽도 ; 26cm.
학위논문주기
학위논문(박사) 경북대학교 대학원 : 전자공학과 반도체공학전공 , 1993
키워드
청구기호
569.8 이222ㄱ
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