소장자료
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| 012 | ▼a KDM198612234▲ | ||
| 041 | 0 | ▼a kor ▼b eng▲ | |
| 052 | 0 | 1 | ▼a 569.8 ▼b 박769ㄱ▲ |
| 056 | ▼a 569.8 ▼2 3▲ | ||
| 082 | 0 | ▼a 621.38152 ▼2 19▲ | |
| 090 | ▼a 028.63 ▼b 박96ㄱ▲ | ||
| 100 | 1 | ▼a 박화식▲ | |
| 245 | 1 | 0 | ▼a 境界要素法을 利用한 MOS-Field effect transitor modeling / ▼d 朴和植▲ |
| 260 | ▼a 서울 : ▼b 中央大學校, ▼c 1985.▲ | ||
| 300 | ▼a 37p. : ▼b 삽도 ; ▼c 27cm.▲ | ||
| 502 | 0 | ▼a 학위논문(석사)--▼b 中央大學校 大學院: ▼c 電子工學科 電子工學專攻, ▼d 1985▲ | |
| 653 | ▼a 경계요소법 ▼a MOSFIELD ▼a TRANSITOR ▼a MODELING▲ | ||
| 950 | 0 | ▼a 비매품 ▼b ₩2400▲ | |
| 965 | ▼a 반도체▲ |
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