소장자료
| LDR | 00678camka2200229 k 4500 | ||
| 001 | 0000265084▲ | ||
| 005 | 20180520234246▲ | ||
| 007 | ta▲ | ||
| 008 | 900309s1989 ulka m AC 000 kor ▲ | ||
| 012 | ▼a KDM198920579▲ | ||
| 041 | 0 | ▼a kor ▼b eng▲ | |
| 056 | ▼a 421.7 ▼2 3▲ | ||
| 082 | 0 | ▼a 530.41 ▼2 19▲ | |
| 090 | ▼a 421.7 ▼b 윤77ㅇ▲ | ||
| 100 | 1 | ▼a 윤주훈▲ | |
| 245 | 1 | 0 | ▼a MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si의 깊은 준위에 관한 연구 / ▼d 尹柱勳.▲ |
| 260 | ▼a 서울 : ▼b 高麗大學校, ▼c 1989.▲ | ||
| 300 | ▼a ii,38,vi장 : ▼b 삽도 ; ▼c 26cm.▲ | ||
| 502 | 0 | ▼a 학위논문(석사) ---▼b 高麗大學校 大學院: ▼c 物理學科, ▼d 1989▲ | |
| 653 | ▼a MOCVD ▼a 방법 ▼a 성장시킨 ▼a GAASSI ▼a 준위 ▼a 엠오시브이디 ▼a 지에이에이에스에스아이▲ | ||
| 940 | 1 | ▼a 엠오시브이디 방법으로 성장시킨 지에이에이에스/에스아이의 깊은 ...▲ | |
| 965 | ▼a 반도체▲ |
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